Vishay PCS IRFBE30PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 800V,RDS(ON) 3 Ohms,ID 4.1A,TO-220AB,PD 125W,VGS +/-20V

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Vishay PCS IRFBE30PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.51 x 4.65 x 15.49 mm
Drain Current	4.1 A
Drain to Source On Resistance	3 Ohms
Drain to Source Voltage	800 V
Forward Transconductance	2.5 S
Forward Voltage, Diode	1.8 V
Gate to Source Voltage	+/-20 V
Height	0.61" (15.49mm)
Input Capacitance	1300 pF @ 25 V
Length	0.413 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	125 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	IRF Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	78 nC
Turn Off Delay Time	82 ns
Turn On Delay Time	12 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 78 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	800 V
Width	0 in