Infineon IRF3205PBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 8 Milliohms,ID 110A,TO-220AB,PD 200W,gFS 44SWir freuen uns, unseren Kunden Infineon Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Infineon IRF3205PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.67 x 4.83 x 16.51 mm |
| Drain Current | 110 A |
| Drain to Source On Resistance | 8 mOhms |
| Drain to Source Voltage | 55 V |
| Forward Transconductance | 44 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ± 20 V |
| Height | 0.65" (16.51mm) |
| Input Capacitance | Maximum of 146 pF @ 10 V |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 200 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 146 nC |
| Turn Off Delay Time | 50 ns |
| Turn On Delay Time | 14 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 146 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 55 V |
| Width | 0 in |