Infineon IRF3205PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 8 Milliohms,ID 110A,TO-220AB,PD 200W,gFS 44S

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Infineon IRF3205PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.67 x 4.83 x 16.51 mm
Drain Current	110 A
Drain to Source On Resistance	8 mOhms
Drain to Source Voltage	55 V
Forward Transconductance	44 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	± 20 V
Height	0.65" (16.51mm)
Input Capacitance	Maximum of 146 pF @ 10 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	200 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	146 nC
Turn Off Delay Time	50 ns
Turn On Delay Time	14 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 146 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	55 V
Width	0 in