Infineon IRF640NPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 200V,RDS(ON) 0.15Ohm,ID 18A,TO-220AB,PD 150W,VGS +/-20VWir freuen uns, unseren Kunden Infineon Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Infineon IRF640NPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Dimensions | 10.67 x 4.83 x 9.02 mm |
| Drain Current | 18 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.15 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 200 V |
| Forward Transconductance | 6.8 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.355" (9.02mm) |
| Input Capacitance | 1160 pF @ 25 V |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 150 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1 °C/W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 67 nC |
| Turn Off Delay Time | 23 ns |
| Turn On Delay Time | 10 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 67 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 200 V |
| Width | 0 in |