Infineon IRF640NPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 200V,RDS(ON) 0.15Ohm,ID 18A,TO-220AB,PD 150W,VGS +/-20VNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Infineon con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Infineon IRF640NPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Dimensions | 10.67 x 4.83 x 9.02 mm |
| Drain Current | 18 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.15 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 200 V |
| Forward Transconductance | 6.8 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.355" (9.02mm) |
| Input Capacitance | 1160 pF @ 25 V |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 150 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1 °C/W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 67 nC |
| Turn Off Delay Time | 23 ns |
| Turn On Delay Time | 10 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 67 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 200 V |
| Width | 0 in |