Infineon IRF6718L2TR1PBF
A 25V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A DIRECTFET L2 PACKAGE RATED AT 61Wir freuen uns, unseren Kunden Infineon Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Infineon IRF6718L2TR1PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 9.15 x 7.10 x 0.496 mm |
| Drain Current | 61 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.7 mΩ |
| Drain to Source Voltage | 25 V |
| Forward Transconductance | 820 S |
| Forward Voltage, Diode | 1 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.02" (0.496mm) |
| Input Capacitance | 8910 pF @ 13 V |
| Length | 0.36" (9.15mm) |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | DirectFET ISOMETRIC L6 |
| Power Dissipation | 4.3 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Turn Off Delay Time | 47 ns |
| Turn On Delay Time | 67 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 4.5 V |
| Width | 0.28" (7.1mm) |