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Infineon IRF6718L2TR1PBF
Infineon IRF6718L2TR1PBF
A 25V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A DIRECTFET L2 PACKAGE RATED AT 61Nos complace ofrecer a nuestros clientes productos Infineon con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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En esta página, encontrará información detallada sobre el producto Infineon IRF6718L2TR1PBF. La marca Infineon es reconocida por sus piezas de alta calidad utilizadas en diversos sectores. El sitio web ofrece diferentes modelos de productos Infineon, que ofrecen opciones adaptadas a sus necesidades.
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Infineon IRF6718L2TR1PBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Dimensions | 9.15 x 7.10 x 0.496 mm |
Drain Current | 61 A |
Drain to Source On Resistance | 0.7 mΩ |
Drain to Source Voltage | 25 V |
Forward Transconductance | 820 S |
Forward Voltage, Diode | 1 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.02" (0.496mm) |
Input Capacitance | 8910 pF @ 13 V |
Length | 0.36" (9.15mm) |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | DirectFET ISOMETRIC L6 |
Power Dissipation | 4.3 W |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Turn Off Delay Time | 47 ns |
Turn On Delay Time | 67 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 4.5 V |
Width | 0.28" (7.1mm) |