Infineon IRF7307TRPBF
IRF7307TRPBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, 5.7 A, 20 V, 8-Pin SOICWir freuen uns, unseren Kunden Infineon Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
Unser Produktsortiment umfasst eine Vielzahl von Infineon-Optionen und anderen Modellen. Falls Sie das gesuchte Modell nicht finden können, können Sie uns eine E-Mail senden oder das Angebot anfordern Formular ausfüllen. Unser Unternehmen bietet ausschließlich originale oder neue Produkte an. Wenn Sie spezielle Anfragen in dieser Hinsicht haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.
Auf dieser Seite finden Sie detaillierte Informationen zum Produkt Infineon IRF7307TRPBF. Die Marke Infineon ist bekannt für ihre hochwertigen Teile, die in verschiedenen Branchen verwendet werden. Die Website bietet verschiedene Modelle von Infineon-Produkten, die Optionen bieten, die auf Ihre Bedürfnisse zugeschnitten sind.
Bitte kontaktieren Sie uns, um eine Bestellung für das Produkt Infineon IRF7307TRPBF aufzugeben oder weitere Details zu erfahren. Wir helfen Ihnen gerne beim Überprüfen des Produkts oder bei der Erkundung anderer Modelle.
Zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren. Wir sind hier, um das richtige Teil auf die zuverlässigste Weise zu liefern. Kundenzufriedenheit und Produktqualität haben für uns oberste Priorität. Wir sind hier, um Ihnen den besten Service zu bieten.
Infineon IRF7307TRPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Alternate Mfr Part Number | 8268857 |
| Channel Type | N ; P |
| Configuration | Dual Drain |
| Dimensions | 5.00 x 4.00 x 1.50 mm |
| Drain Current | -4.3 to 5.2 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.070 to 0.140 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 to 20 V |
| Forward Transconductance | 4 (P), 8.3 (N) S |
| Forward Voltage, Diode | 1/-1 V |
| Gate to Source Voltage | ±12 V |
| Height | 0.059" (1.5mm) |
| Input Capacitance | 610 pF @ -15 V (P), 660 pF @ 15 V (N) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 62.5 °C/W |
| Length | 0.196 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | SO-8 |
| Polarization | N-Channel and P-Channel |
| Power Dissipation | 2 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 20/22 nC |
| Turn Off Delay Time | 32 (N), 51 (P) ns |
| Turn On Delay Time | 8.4 (P), 9 (N) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 20 nC @ 4.5 V (N), Maximum of 22 nC @ -4. |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 20/-20 V |
| Width | 0 in |