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Infineon IRF7307TRPBF
Infineon IRF7307TRPBF
IRF7307TRPBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, 5.7 A, 20 V, 8-Pin SOICEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRF7307TRPBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Alternate Mfr Part Number | 8268857 |
Channel Type | N ; P |
Configuration | Dual Drain |
Dimensions | 5.00 x 4.00 x 1.50 mm |
Drain Current | -4.3 to 5.2 A |
Drain to Source On Resistance | 0.070 to 0.140 Ohms |
Drain to Source Voltage | -20 to 20 V |
Forward Transconductance | 4 (P), 8.3 (N) S |
Forward Voltage, Diode | 1/-1 V |
Gate to Source Voltage | ±12 V |
Height | 0.059" (1.5mm) |
Input Capacitance | 610 pF @ -15 V (P), 660 pF @ 15 V (N) |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 62.5 °C/W |
Length | 0.196 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
Package Type | SO-8 |
Polarization | N-Channel and P-Channel |
Power Dissipation | 2 W |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 20/22 nC |
Turn Off Delay Time | 32 (N), 51 (P) ns |
Turn On Delay Time | 8.4 (P), 9 (N) ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 20 nC @ 4.5 V (N), Maximum of 22 nC @ -4. |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 20/-20 V |
Width | 0 in |