Infineon IRF7779L2TR1PBF
IRF7779L2TR1PBF N-channel MOSFET Transistor, 375 A, 150 V, 11-Pin DirectFET L8Wir freuen uns, unseren Kunden Infineon Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Infineon IRF7779L2TR1PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Drain |
| Dimensions | 9.15 x 7.10 x 0.52 mm |
| Drain Current | 375 A |
| Drain to Source On Resistance | 11 mΩ |
| Drain to Source Voltage | 150 V |
| Forward Transconductance | 83 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.02" (0.52mm) |
| Input Capacitance | 6660 pF @ 25 V |
| Length | 0.36" (9.15mm) |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 11 |
| Package Type | DirectFET L8 |
| Power Dissipation | 125 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Turn Off Delay Time | 36 ns |
| Turn On Delay Time | 16 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 97 nC @ 10 V |
| Width | 0.28" (7.1mm) |