Infineon IRF7779L2TR1PBF
IRF7779L2TR1PBF N-channel MOSFET Transistor, 375 A, 150 V, 11-Pin DirectFET L8Müşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle Infineon ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.
Ürün yelpazemizde geniş bir Infineon seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
Bu sayfada Infineon IRF7779L2TR1PBF ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. Infineon markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı Infineon ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.
Infineon IRF7779L2TR1PBF ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.
Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.
Infineon IRF7779L2TR1PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Drain |
| Dimensions | 9.15 x 7.10 x 0.52 mm |
| Drain Current | 375 A |
| Drain to Source On Resistance | 11 mΩ |
| Drain to Source Voltage | 150 V |
| Forward Transconductance | 83 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.02" (0.52mm) |
| Input Capacitance | 6660 pF @ 25 V |
| Length | 0.36" (9.15mm) |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 11 |
| Package Type | DirectFET L8 |
| Power Dissipation | 125 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Turn Off Delay Time | 36 ns |
| Turn On Delay Time | 16 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 97 nC @ 10 V |
| Width | 0.28" (7.1mm) |