Infineon IRFB3307PBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 75V,RDS(ON) 5 Milliohms,ID 130A,TO-220AB,PD 250W,gFS 98SWir freuen uns, unseren Kunden Infineon Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Infineon IRFB3307PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | High efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterru |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.66 x 4.82 x 16.51 mm |
| Drain Current | 120 A |
| Drain to Source On Resistance | 6.3 mOhms |
| Drain to Source Voltage | 75 V |
| Fall Time | 63 ns (Typ.) |
| Forward Transconductance | 98 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ± 20 V |
| Height | 0.65" (16.51mm) |
| Input Capacitance | 5150 pF @ 50 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 62 °C⁄W |
| Length | 0.419 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 °C (Max.) |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 200 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.61 °C/W (Max.) |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 120 nC |
| Turn Off Delay Time | 51 ns |
| Turn On Delay Time | 26 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 75 V |
| Width | 0 in |