Infineon IRFB3307PBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 75V,RDS(ON) 5 Milliohms,ID 130A,TO-220AB,PD 250W,gFS 98SМы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRFB3307PBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта Infineon IRFB3307PBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
Infineon IRFB3307PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | High efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterru |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.66 x 4.82 x 16.51 mm |
| Drain Current | 120 A |
| Drain to Source On Resistance | 6.3 mOhms |
| Drain to Source Voltage | 75 V |
| Fall Time | 63 ns (Typ.) |
| Forward Transconductance | 98 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ± 20 V |
| Height | 0.65" (16.51mm) |
| Input Capacitance | 5150 pF @ 50 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 62 °C⁄W |
| Length | 0.419 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 °C (Max.) |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 200 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.61 °C/W (Max.) |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 120 nC |
| Turn Off Delay Time | 51 ns |
| Turn On Delay Time | 26 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 75 V |
| Width | 0 in |