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Infineon IRFZ34NSPBF
Infineon IRFZ34NSPBF
Power MOSFET,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 0.04Ohm,ID 29A,D2Pak,PD 68W,VGS+/-20V,Qg 34nCWir freuen uns, unseren Kunden Infineon Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
Unser Produktsortiment umfasst eine Vielzahl von Infineon-Optionen und anderen Modellen. Falls Sie das gesuchte Modell nicht finden können, können Sie uns eine E-Mail senden oder das Angebot anfordern Formular ausfüllen. Unser Unternehmen bietet ausschließlich originale oder neue Produkte an. Wenn Sie spezielle Anfragen in dieser Hinsicht haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.
Auf dieser Seite finden Sie detaillierte Informationen zum Produkt Infineon IRFZ34NSPBF. Die Marke Infineon ist bekannt für ihre hochwertigen Teile, die in verschiedenen Branchen verwendet werden. Die Website bietet verschiedene Modelle von Infineon-Produkten, die Optionen bieten, die auf Ihre Bedürfnisse zugeschnitten sind.
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Infineon IRFZ34NSPBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Dual Drain |
Dimensions | 10.67 x 9.65 x 4.83 mm |
Drain Current | 29 A |
Drain to Source On Resistance | 0.04 Ohms |
Drain to Source Voltage | 55 V |
Forward Transconductance | 6.5 S |
Forward Voltage, Diode | 1.6 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.19" (4.83mm) |
Input Capacitance | 700 pF @ 25 V |
Length | 0.42 in |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | D2PAK |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 68 W |
Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Total Gate Charge | 34 nC |
Turn Off Delay Time | 31 ns |
Turn On Delay Time | 7 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 34 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 55 V |
Width | 0 in |