Infineon IRFZ34NSPBF

Power MOSFET,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 0.04Ohm,ID 29A,D2Pak,PD 68W,VGS+/-20V,Qg 34nC

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Infineon IRFZ34NSPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Drain Current	29 A
Drain to Source On Resistance	0.04 Ohms
Drain to Source Voltage	55 V
Forward Transconductance	6.5 S
Forward Voltage, Diode	1.6 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.19" (4.83mm)
Input Capacitance	700 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	68 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	34 nC
Turn Off Delay Time	31 ns
Turn On Delay Time	7 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 34 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	55 V
Width	0 in