ON Semiconductor 2N6045G
ON Semi 2N6045G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 4-Pin TO-220ABWir freuen uns, unseren Kunden ON Semiconductor Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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ON Semiconductor 2N6045G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Base Current | 120 mA |
| Collector Cutoff Current | 20 (Base), 20:200 (Emitter) μA |
| Collector to Base Voltage | 100 V |
| Collector to Emitter Voltage | 100 V |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 8 A |
| Dimensions | 10.28 x 4.82 x 15.75 mm |
| Emitter to Base Voltage | 5 V |
| Height | 0.62" (15.75mm) |
| Input Voltage | 2.8 V |
| Length | 0.404 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 3 |
| Output Current | 8 A |
| Output Voltage | 100 VDC |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarity | NPN |
| Power Dissipation | 75 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Complementary Bipolar Silicon Medium Power Transistor |
| Resistance, Thermal, Junction to Ambient | 57 °C/W |
| Series | 2N Bipolar Series |
| Temperature Operating Range | -65 to +150 °C |
| Transistor Type | NPN |
| Type | Medium Power, Switch |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 2 V |
| Voltage, Saturation, Base to Emitter | 4.5 V |
| Width | 0 in |