ON Semiconductor 2N6045G

ON Semi 2N6045G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 4-Pin TO-220AB

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию ON Semiconductor с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции ON Semiconductor и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте ON Semiconductor 2N6045G. Бренд ON Semiconductor известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели ON Semiconductor, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта ON Semiconductor 2N6045G или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

ON Semiconductor 2N6045G Specifications

Property	Value
Base Current	120 mA
Collector Cutoff Current	20 (Base), 20:200 (Emitter) μA
Collector to Base Voltage	100 V
Collector to Emitter Voltage	100 V
Configuration	Dual
Continuous Collector Current	8 A
Dimensions	10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.62" (15.75mm)
Input Voltage	2.8 V
Length	0.404 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	3
Output Current	8 A
Output Voltage	100 VDC
Package Type	TO-220AB
Polarity	NPN
Power Dissipation	75 W
Primary Type	Si
Product Header	Complementary Bipolar Silicon Medium Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Ambient	57 °C/W
Series	2N Bipolar Series
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Transistor Type	NPN
Type	Medium Power, Switch
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	2 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	4.5 V
Width	0 in