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ON Semiconductor BSS123LT
ON Semiconductor BSS123LT
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100VDC,RDS(ON) 5 Ohms,ID 0.17A,SOT-23 (TO-236),PD 225mWWir freuen uns, unseren Kunden ON Semiconductor Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
Unser Produktsortiment umfasst eine Vielzahl von ON Semiconductor-Optionen und anderen Modellen. Falls Sie das gesuchte Modell nicht finden können, können Sie uns eine E-Mail senden oder das Angebot anfordern Formular ausfüllen. Unser Unternehmen bietet ausschließlich originale oder neue Produkte an. Wenn Sie spezielle Anfragen in dieser Hinsicht haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.
Auf dieser Seite finden Sie detaillierte Informationen zum Produkt ON Semiconductor BSS123LT. Die Marke ON Semiconductor ist bekannt für ihre hochwertigen Teile, die in verschiedenen Branchen verwendet werden. Die Website bietet verschiedene Modelle von ON Semiconductor-Produkten, die Optionen bieten, die auf Ihre Bedürfnisse zugeschnitten sind.
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ON Semiconductor BSS123LT Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01 mm |
Drain Current | 0.17 A |
Drain to Source On Resistance | 6 Ohms |
Drain to Source Voltage | 100 V |
Forward Transconductance | 80 mS |
Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.04" (1.01mm) |
Input Capacitance | 20 pF @ 25 V |
Length | 0.119 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | SOT-23 |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 225 mW |
Product Header | N-Channel Power MOSFET |
Series | BSS Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Turn Off Delay Time | 40 ns |
Turn On Delay Time | 20 ns |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100 V |
Width | 0.055 in |