ON Semiconductor BSS123LT

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100VDC,RDS(ON) 5 Ohms,ID 0.17A,SOT-23 (TO-236),PD 225mW

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ON Semiconductor BSS123LT Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	3.04 x 1.4 x 1.01 mm
Drain Current	0.17 A
Drain to Source On Resistance	6 Ohms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	80 mS
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.04" (1.01mm)
Input Capacitance	20 pF @ 25 V
Length	0.119 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	SOT-23
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	225 mW
Product Header	N-Channel Power MOSFET
Series	BSS Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	40 ns
Turn On Delay Time	20 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0.055 in