Siliconix / Vishay SI1029X-T1-E3/BKN
60V (D-S) P&N COMP MOSFET W/ESD PROWir freuen uns, unseren Kunden Siliconix / Vishay Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Siliconix / Vishay SI1029X-T1-E3/BKN Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N ; P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 1.7 x 1.2 x 0.6 mm |
| Drain Current | -135 to 305 mA |
| Drain to Source On Resistance | 3 to 8 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -60 to 60 V |
| Forward Transconductance | 100, 200 mS |
| Forward Voltage, Diode | 1.4/-1.4 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.024" (0.6mm) |
| Input Capacitance | 23 pF@ -25 V, 30 pF @ 25 V |
| Length | 0.066 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 6 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | SC-89 |
| Polarization | N-Channel and P-Channel |
| Power Dissipation | 250 mW |
| Series | SI10 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 750/1700 nC |
| Turn Off Delay Time | 20, 35 ns |
| Turn On Delay Time | 15, 20 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1700 nC @ 4.5 V, 750 nC @ 4.5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60/-60 V |
| Width | 0.047 in |