Siliconix / Vishay SI1029X-T1-E3/BKN

60V (D-S) P&N COMP MOSFET W/ESD PRO

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Siliconix / Vishay SI1029X-T1-E3/BKN Specifications

Property	Value
Channel Type	N ; P
Configuration	Single
Dimensions	1.7 x 1.2 x 0.6 mm
Drain Current	-135 to 305 mA
Drain to Source On Resistance	3 to 8 Ohms
Drain to Source Voltage	-60 to 60 V
Forward Transconductance	100, 200 mS
Forward Voltage, Diode	1.4/-1.4 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.024" (0.6mm)
Input Capacitance	23 pF@ -25 V, 30 pF @ 25 V
Length	0.066 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	6
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SC-89
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	250 mW
Series	SI10 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	750/1700 nC
Turn Off Delay Time	20, 35 ns
Turn On Delay Time	15, 20 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	1700 nC @ 4.5 V, 750 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60/-60 V
Width	0.047 in