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Siliconix / Vishay SI6933DQ-T1-E3
Siliconix / Vishay SI6933DQ-T1-E3
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Unser Produktsortiment umfasst eine Vielzahl von Siliconix / Vishay-Optionen und anderen Modellen. Falls Sie das gesuchte Modell nicht finden können, können Sie uns eine E-Mail senden oder das Angebot anfordern Formular ausfüllen. Unser Unternehmen bietet ausschließlich originale oder neue Produkte an. Wenn Sie spezielle Anfragen in dieser Hinsicht haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.
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Siliconix / Vishay SI6933DQ-T1-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | P |
Configuration | Dual Drain ; Dual Gate ; Quad |
Dimensions | 4.5 x 3.1 x 1.05 mm |
Drain Current | 3.5 A |
Drain to Source On Resistance | 0.085 Ohms |
Drain to Source Voltage | -30 V |
Fall Time | 20 ns |
Forward Transconductance | 7.2 S |
Forward Voltage, Diode | -1.2 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.041" (1.05mm) |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 125 °C/W |
Length | 0.177 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Number of Pins | 8 |
Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
Package Type | TSSOP |
Polarization | P-Channel |
Power Dissipation | 1 W |
Series | SI69 Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 30 nC |
Turn Off Delay Time | 60 ns |
Turn On Delay Time | 20 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ -15 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | -30 V |
Width | 0 in |