Siliconix / Vishay SUD50P04-13L-E3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -40V,RDS(ON) 0.0105Ohm,ID -60A,TO-252,PD 93.7W,VGS+/-20VWir freuen uns, unseren Kunden Siliconix / Vishay Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Siliconix / Vishay SUD50P04-13L-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 6.73 x 6.22 x 2.38 mm |
| Drain Current | -43 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.022 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -40 V |
| Forward Transconductance | 15 S |
| Forward Voltage, Diode | -1 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.094" (2.38mm) |
| Input Capacitance | 3120 pF @ -25 V |
| Length | 0.264 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-252 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 93.7 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SUD Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 63 nC |
| Turn Off Delay Time | 60 ns |
| Turn On Delay Time | 15 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -40 V |
| Width | 0 in |