Siliconix / Vishay SUD50P04-13L-E3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -40V,RDS(ON) 0.0105Ohm,ID -60A,TO-252,PD 93.7W,VGS+/-20VNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SUD50P04-13L-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 6.73 x 6.22 x 2.38 mm |
| Drain Current | -43 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.022 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -40 V |
| Forward Transconductance | 15 S |
| Forward Voltage, Diode | -1 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.094" (2.38mm) |
| Input Capacitance | 3120 pF @ -25 V |
| Length | 0.264 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-252 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 93.7 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SUD Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 63 nC |
| Turn Off Delay Time | 60 ns |
| Turn On Delay Time | 15 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -40 V |
| Width | 0 in |