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Siliconix / Vishay SUP75N03-04-E3
Siliconix / Vishay SUP75N03-04-E3
MOSFET; TO-220 30V 75A 4MOHMWir freuen uns, unseren Kunden Siliconix / Vishay Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
Unser Produktsortiment umfasst eine Vielzahl von Siliconix / Vishay-Optionen und anderen Modellen. Falls Sie das gesuchte Modell nicht finden können, können Sie uns eine E-Mail senden oder das Angebot anfordern Formular ausfüllen. Unser Unternehmen bietet ausschließlich originale oder neue Produkte an. Wenn Sie spezielle Anfragen in dieser Hinsicht haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.
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Siliconix / Vishay SUP75N03-04-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Dimensions | 10.51 x 4.65 x 15.49 mm |
Drain Current | 75 A |
Drain to Source On Resistance | 0.008 Ohms |
Drain to Source Voltage | 30 V |
Fall Time | 95 ns |
Forward Transconductance | 30 S |
Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.61" (15.49mm) |
Input Capacitance | 10742 pF @ 25 V |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 40 °C/W |
Length | 0.413 in |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Operating and Storage Temperature | -55 to +175 C |
Package Type | TO-220AB |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 187 W |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.6 °C/W |
Series | SUP Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Total Gate Charge | 250 nC |
Turn Off Delay Time | 190 ns |
Turn On Delay Time | 20 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
Width | 0 in |