Siliconix / Vishay SUP75P03-07-E3
MOSFET,P-Ch,VDSS -30V,RDS(ON) 0.0055Ohm,ID -75A,TO-220AB,PD 187W,VGS +/-20V,-55CWir freuen uns, unseren Kunden Siliconix / Vishay Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Siliconix / Vishay SUP75P03-07-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.51 x 4.65 x 15.49 mm |
| Drain Current | -65 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.013 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -30 V |
| Forward Transconductance | 20 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.61" (15.49mm) |
| Input Capacitance | 9000 pF @ -25 V |
| Length | 0.413 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 187 W |
| Product Header | P-Channel MOSFET |
| Series | SUP Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 160 nC |
| Turn Off Delay Time | 150 ns |
| Turn On Delay Time | 25 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 160 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -30 V |
| Width | 0 in |