Siliconix / Vishay SUP75P03-07-E3
MOSFET,P-Ch,VDSS -30V,RDS(ON) 0.0055Ohm,ID -75A,TO-220AB,PD 187W,VGS +/-20V,-55CEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Siliconix / Vishay SUP75P03-07-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.51 x 4.65 x 15.49 mm |
| Drain Current | -65 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.013 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -30 V |
| Forward Transconductance | 20 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.61" (15.49mm) |
| Input Capacitance | 9000 pF @ -25 V |
| Length | 0.413 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 187 W |
| Product Header | P-Channel MOSFET |
| Series | SUP Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 160 nC |
| Turn Off Delay Time | 150 ns |
| Turn On Delay Time | 25 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 160 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -30 V |
| Width | 0 in |