Infineon AUIRF2907ZS-7P
AUIRF2907ZS-7P N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 75 V, 7-Pin D2PAKNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Infineon con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Infineon AUIRF2907ZS-7P Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Penta Source, Single |
| Dimensions | 10.35 x 10.05 x 4.55 mm |
| Drain Current | 180 A |
| Drain to Source On Resistance | 3.8 mΩ |
| Drain to Source Voltage | 75 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.179" (4.55mm) |
| Input Capacitance | 7580 pF V @ 25 |
| Length | 0.407" (10.35mm) |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 7 |
| Package Type | D2PAK |
| Power Dissipation | 300 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Turn Off Delay Time | 92 ns |
| Turn On Delay Time | 21 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 170 nC V @ 10 |
| Width | 0.396" (10.05mm) |