Infineon AUIRF2907ZS-7P

AUIRF2907ZS-7P N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 75 V, 7-Pin D2PAK

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Infineon AUIRF2907ZS-7P Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Penta Source, Single
Dimensions	10.35 x 10.05 x 4.55 mm
Drain Current	180 A
Drain to Source On Resistance	3.8 mΩ
Drain to Source Voltage	75 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.179" (4.55mm)
Input Capacitance	7580 pF V @ 25
Length	0.407" (10.35mm)
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	7
Package Type	D2PAK
Power Dissipation	300 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	92 ns
Turn On Delay Time	21 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	170 nC V @ 10
Width	0.396" (10.05mm)