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Infineon IRF1405SPBF
Infineon IRF1405SPBF
Power MOSFET,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 4.6 Milliohms,ID 131A,D2Pak,PD 200W,VGS+/-20VNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Infineon con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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En esta página, encontrará información detallada sobre el producto Infineon IRF1405SPBF. La marca Infineon es reconocida por sus piezas de alta calidad utilizadas en diversos sectores. El sitio web ofrece diferentes modelos de productos Infineon, que ofrecen opciones adaptadas a sus necesidades.
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Infineon IRF1405SPBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Dual Drain |
Dimensions | 10.67 x 9.65 x 4.83 mm |
Drain Current | 131 A |
Drain to Source On Resistance | 5.3 mOhms |
Drain to Source Voltage | 55 V |
Forward Transconductance | 69 sec |
Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.19" (4.83mm) |
Input Capacitance | 5480 pF @ 25 V |
Length | 0.42 in |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | D2PAK |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 200 W |
Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Total Gate Charge | 170 nC |
Turn Off Delay Time | 130 ns |
Turn On Delay Time | 13 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 55 V |
Width | 0 in |