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Infineon IRF1405SPBF
Infineon IRF1405SPBF
Power MOSFET,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 4.6 Milliohms,ID 131A,D2Pak,PD 200W,VGS+/-20VNous sommes heureux de proposer à nos clients des produits Infineon avec livraison dans leurs pays respectifs. Veuillez nous contacter pour des informations détaillées sur les prix et les délais de livraison. Dans votre demande, veuillez envoyer des informations contenant les codes produits et des détails spécifiques à notre adresse [email protected].
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Infineon IRF1405SPBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Dual Drain |
Dimensions | 10.67 x 9.65 x 4.83 mm |
Drain Current | 131 A |
Drain to Source On Resistance | 5.3 mOhms |
Drain to Source Voltage | 55 V |
Forward Transconductance | 69 sec |
Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.19" (4.83mm) |
Input Capacitance | 5480 pF @ 25 V |
Length | 0.42 in |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | D2PAK |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 200 W |
Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Total Gate Charge | 170 nC |
Turn Off Delay Time | 130 ns |
Turn On Delay Time | 13 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 55 V |
Width | 0 in |