Infineon IRF7307PBF
IRF7307PBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, 5.7 A, 20 V, 8-Pin SOICNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Infineon con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Infineon IRF7307PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N ; P |
| Configuration | Dual Drain |
| Dimensions | 5.00 x 4.00 x 1.50 mm |
| Drain Current | -4.3 to 5.2 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.070 to 0.140 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 to 20 V |
| Forward Transconductance | 4 (P), 8.3 (N) S |
| Forward Voltage, Diode | 1/-1 V |
| Gate to Source Voltage | ±12 V |
| Height | 0.059" (1.5mm) |
| Input Capacitance | 610 pF @ -15 V (P), 660 pF @ 15 V (N) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 62.5 °C/W |
| Length | 0.196 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | SO-8 |
| Polarization | N-Channel and P-Channel |
| Power Dissipation | 2 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 20/22 nC |
| Turn Off Delay Time | 32 (N), 51 (P) ns |
| Turn On Delay Time | 8.4 (P), 9 (N) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 20 nC @ 4.5 V (N), Maximum of 22 nC @ -4. |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 20/-20 V |
| Width | 0 in |