Infineon IRF7307PBF
IRF7307PBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, 5.7 A, 20 V, 8-Pin SOICMüşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle Infineon ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.
Ürün yelpazemizde geniş bir Infineon seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
Bu sayfada Infineon IRF7307PBF ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. Infineon markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı Infineon ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.
Infineon IRF7307PBF ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.
Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.
Infineon IRF7307PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N ; P |
| Configuration | Dual Drain |
| Dimensions | 5.00 x 4.00 x 1.50 mm |
| Drain Current | -4.3 to 5.2 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.070 to 0.140 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 to 20 V |
| Forward Transconductance | 4 (P), 8.3 (N) S |
| Forward Voltage, Diode | 1/-1 V |
| Gate to Source Voltage | ±12 V |
| Height | 0.059" (1.5mm) |
| Input Capacitance | 610 pF @ -15 V (P), 660 pF @ 15 V (N) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 62.5 °C/W |
| Length | 0.196 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | SO-8 |
| Polarization | N-Channel and P-Channel |
| Power Dissipation | 2 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 20/22 nC |
| Turn Off Delay Time | 32 (N), 51 (P) ns |
| Turn On Delay Time | 8.4 (P), 9 (N) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 20 nC @ 4.5 V (N), Maximum of 22 nC @ -4. |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 20/-20 V |
| Width | 0 in |