ON Semiconductor MMBD101LT1G
Diode,Schottky Barrier,Vr 7V,If 10mA,Pkg SOT-23 (TO-236),Vf 0.5V,Cj 0.88pFNos complace ofrecer a nuestros clientes productos ON Semiconductor con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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ON Semiconductor MMBD101LT1G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01 mm |
| Diode Type | Schottky Barrier |
| Forward Current | 10 mA |
| Forward Voltage | 0.6 V |
| Height | 0.04" (1.01mm) |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Junction Temperature | +150 °C |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-236AB |
| Peak Current | 0.25 μA |
| Power Dissipation | 225 mW |
| Primary Type | Schottky Barrier |
| Product Header | Silicon Schottky Barrier Diode |
| Rectifier Type | Switching |
| Repetitive Peak Voltage | 7 V |
| Series | Schottky Diode Series |
| Temperature Operating Range | Maximum of +150 °C |
| Width | 0.055 in |