ON Semiconductor MMBD101LT1G
Diode,Schottky Barrier,Vr 7V,If 10mA,Pkg SOT-23 (TO-236),Vf 0.5V,Cj 0.88pFNous sommes heureux de proposer à nos clients des produits ON Semiconductor avec livraison dans leurs pays respectifs. Veuillez nous contacter pour des informations détaillées sur les prix et les délais de livraison. Dans votre demande, veuillez envoyer des informations contenant les codes produits et des détails spécifiques à notre adresse [email protected].
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ON Semiconductor MMBD101LT1G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01 mm |
| Diode Type | Schottky Barrier |
| Forward Current | 10 mA |
| Forward Voltage | 0.6 V |
| Height | 0.04" (1.01mm) |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Junction Temperature | +150 °C |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-236AB |
| Peak Current | 0.25 μA |
| Power Dissipation | 225 mW |
| Primary Type | Schottky Barrier |
| Product Header | Silicon Schottky Barrier Diode |
| Rectifier Type | Switching |
| Repetitive Peak Voltage | 7 V |
| Series | Schottky Diode Series |
| Temperature Operating Range | Maximum of +150 °C |
| Width | 0.055 in |