Siliconix / Vishay SI3493DV-T1-E3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.022Ohm,ID -5.3A,TSOP-6,PD 1.1W,VGS +/-8VNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI3493DV-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Quad Drain |
| Dimensions | 3.1 x 1.7 x 1 mm |
| Drain Current | -3.9 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.048 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 V |
| Fall Time | 130 ns |
| Forward Transconductance | 25 S |
| Forward Voltage, Diode | -0.7 V |
| Gate to Source Voltage | ±8 V |
| Height | 0.039" (1mm) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 62.5 °C/W |
| Length | 0.12 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 6 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | TSOP |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 1.9 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SI34 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 21 nC |
| Turn Off Delay Time | 125 ns |
| Turn On Delay Time | 20 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 21 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |
| Width | 0 in |