Siliconix / Vishay SI4946BEY-T1-E3

Dual N-channel MOSFET Transistor 6.5 A 60 V 8-Pin SOIC

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Siliconix / Vishay SI4946BEY-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	5 x 4 x 1.55 mm
Drain Current	6.5 A
Drain to Source On Resistance	0.052 Ohms
Drain to Source Voltage	60 V
Forward Transconductance	24 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.061" (1.55mm)
Input Capacitance	840 pF @ 30 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	50 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 175 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	3.7 W
Series	SI49 Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	17 nC
Turn Off Delay Time	25 ns
Turn On Delay Time	20 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	17 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60 V
Width	0 in