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Siliconix / Vishay SI5441BDC-T1-E3
Siliconix / Vishay SI5441BDC-T1-E3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.036Ohm,ID -4.4A,1206-8 ChipFET,PD 1.3WNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI5441BDC-T1-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | P |
Configuration | Hex Drain |
Dimensions | 3.1 x 1.7 x 1.1 mm |
Drain Current | -3.2 A |
Drain to Source On Resistance | 0.036 Ohms |
Drain to Source Voltage | -20 V |
Forward Transconductance | 12 S |
Forward Voltage, Diode | -0.8 V |
Gate to Source Voltage | ±12 V |
Height | 0.043" (1.1mm) |
Length | 0.12 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 8 |
Package Type | 1206-8 ChipFET |
Polarization | P-Channel |
Power Dissipation | 1.3 W |
Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
Series | SI54 Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 11.5 nC |
Turn Off Delay Time | 50 ns |
Turn On Delay Time | 15 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 11.5 nC @ -10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |
Width | 0 in |