Siliconix / Vishay SI5441BDC-T1-E3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.036Ohm,ID -4.4A,1206-8 ChipFET,PD 1.3WEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
A nossa gama de produtos inclui uma grande variedade de opções Siliconix / Vishay e outros modelos. Se não encontrar o modelo que procura, pode enviar-nos um e-mail ou preencher o formulário de pedido de cotação. A nossa empresa oferece apenas produtos originais ou novos. Se tiver pedidos especiais a este respeito, não hesite em contactar-nos.
Nesta página, encontrará informações detalhadas sobre o produto Siliconix / Vishay SI5441BDC-T1-E3. A marca Siliconix / Vishay é reconhecida pelos seus componentes de alta qualidade utilizados em vários setores. O site oferece diferentes modelos de produtos Siliconix / Vishay, fornecendo opções adaptadas às suas necessidades.
Por favor, entre em contato connosco para fazer um pedido para o produto Siliconix / Vishay SI5441BDC-T1-E3 ou para obter mais detalhes. Teremos todo o prazer em ajudá-lo a verificar o produto ou a explorar outros modelos.
Não hesite em contactar-nos. Estamos aqui para fornecer a peça certa da forma mais confiável. A satisfação do cliente e a qualidade do produto são as nossas principais prioridades. Estamos aqui para lhe proporcionar o melhor serviço.
Siliconix / Vishay SI5441BDC-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Hex Drain |
| Dimensions | 3.1 x 1.7 x 1.1 mm |
| Drain Current | -3.2 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.036 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 V |
| Forward Transconductance | 12 S |
| Forward Voltage, Diode | -0.8 V |
| Gate to Source Voltage | ±12 V |
| Height | 0.043" (1.1mm) |
| Length | 0.12 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | 1206-8 ChipFET |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 1.3 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SI54 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 11.5 nC |
| Turn Off Delay Time | 50 ns |
| Turn On Delay Time | 15 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11.5 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |
| Width | 0 in |