Siliconix / Vishay SI6410DQ-T1-E3
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 0.011Ohm,ID+/-7.8A,TSSOP-8,PD 1.5W,VGS+/-20VNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI6410DQ-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Drain ; Dual Gate ; Quad |
| Dimensions | 4.5 x 3.1 x 1.05 mm |
| Drain Current | 7.8 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.011 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 30 V |
| Forward Transconductance | 27 S |
| Forward Voltage, Diode | 0.7 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.041" (1.05mm) |
| Length | 0.177 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | TSSOP |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 1.5 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SI64 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 22 nC |
| Turn Off Delay Time | 70 ns |
| Turn On Delay Time | 15 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 43 nC @ 15 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
| Width | 0 in |