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Siliconix / Vishay SI6410DQ-T1-E3
Siliconix / Vishay SI6410DQ-T1-E3
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 0.011Ohm,ID+/-7.8A,TSSOP-8,PD 1.5W,VGS+/-20VEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Siliconix / Vishay SI6410DQ-T1-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Dual Drain ; Dual Gate ; Quad |
Dimensions | 4.5 x 3.1 x 1.05 mm |
Drain Current | 7.8 A |
Drain to Source On Resistance | 0.011 Ohms |
Drain to Source Voltage | 30 V |
Forward Transconductance | 27 S |
Forward Voltage, Diode | 0.7 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.041" (1.05mm) |
Length | 0.177 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 8 |
Package Type | TSSOP |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 1.5 W |
Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
Series | SI64 Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 22 nC |
Turn Off Delay Time | 70 ns |
Turn On Delay Time | 15 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 43 nC @ 15 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
Width | 0 in |