Siliconix / Vishay SIR422DP-T1-GE3
MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 40V, RDS(ON) 0.0054Ohm, ID 20A, PowerPak SO-8, -55deNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SIR422DP-T1-GE3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Quad Drain ; Triple Source |
| Dimensions | 5.99 x 5 x 1.07 mm |
| Drain Current | 40 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.008 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 40 V |
| Forward Transconductance | 70 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.042" (1.07mm) |
| Input Capacitance | 1785 pF @ 20 V |
| Length | 0.235 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | PowerPAK-SO-8 |
| Power Dissipation | 34.7 W |
| Series | TrenchFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 28 ns |
| Turn On Delay Time | 19 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Width | 0 in |