Siliconix / Vishay SIR422DP-T1-GE3

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 40V, RDS(ON) 0.0054Ohm, ID 20A, PowerPak SO-8, -55de

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Siliconix / Vishay SIR422DP-T1-GE3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	5.99 x 5 x 1.07 mm
Drain Current	40 A
Drain to Source On Resistance	0.008 Ohms
Drain to Source Voltage	40 V
Forward Transconductance	70 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.042" (1.07mm)
Input Capacitance	1785 pF @ 20 V
Length	0.235 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	PowerPAK-SO-8
Power Dissipation	34.7 W
Series	TrenchFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	28 ns
Turn On Delay Time	19 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	32 nC @ 10 V
Width	0 in