Siliconix / Vishay SISA04DN-T1-GE3

Semiconcuctor,Mosfet;TrenchFET;N-Channel;30V;40A;2.15mohm @ 10V;PowerPAK 1212-8

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Siliconix / Vishay SISA04DN-T1-GE3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	3.15 x 3.15 x 1.07 mm
Drain Current	40 A
Drain to Source On Resistance	0.0031 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Fall Time	20 ns
Forward Transconductance	105 S
Forward Voltage, Diode	1.1 V
Gate to Source Voltage	-16, 20 V
Height	0.042" (1.07mm)
Input Capacitance	3595 pF @ 15 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	33 °C/W
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Operating and Storage Temperature	-55 to 150 C
Package Type	PowerPAK-SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	52 W
Resistance, Thermal, Junction to Case	2.4 °C/W
Series	TrenchFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	22.5 nC
Turn Off Delay Time	30 ns
Turn On Delay Time	24 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	51 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0 in