- Домашняя страница
- Бренды
- Siliconix / Vishay
- SISA04DN-T1-GE3
Siliconix / Vishay SISA04DN-T1-GE3
Siliconix / Vishay SISA04DN-T1-GE3
Semiconcuctor,Mosfet;TrenchFET;N-Channel;30V;40A;2.15mohm @ 10V;PowerPAK 1212-8Мы рады предложить нашим клиентам продукцию Siliconix / Vishay с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции Siliconix / Vishay и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Siliconix / Vishay SISA04DN-T1-GE3. Бренд Siliconix / Vishay известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Siliconix / Vishay, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта Siliconix / Vishay SISA04DN-T1-GE3 или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
Siliconix / Vishay SISA04DN-T1-GE3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Quad Drain ; Triple Source |
Dimensions | 3.15 x 3.15 x 1.07 mm |
Drain Current | 40 A |
Drain to Source On Resistance | 0.0031 Ohms |
Drain to Source Voltage | 30 V |
Fall Time | 20 ns |
Forward Transconductance | 105 S |
Forward Voltage, Diode | 1.1 V |
Gate to Source Voltage | -16, 20 V |
Height | 0.042" (1.07mm) |
Input Capacitance | 3595 pF @ 15 V |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 33 °C/W |
Length | 0.12 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 8 |
Operating and Storage Temperature | -55 to 150 C |
Package Type | PowerPAK-SO-8 |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 52 W |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 2.4 °C/W |
Series | TrenchFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 22.5 nC |
Turn Off Delay Time | 30 ns |
Turn On Delay Time | 24 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
Width | 0 in |