Siliconix / Vishay SUD50N06-08H-E3
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 0.0065Ohm,ID 93A,TO-252,PD 136W,VGS +/-20VNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SUD50N06-08H-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | Automotive such as high-side switch, motor drives, 12 V batt |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 6.73 x 6.22 x 2.38 mm |
| Drain Current | 93 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.0065 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 60 V |
| Fall Time | 10 nS |
| Forward Transconductance | 25 S |
| Forward Voltage, Diode | 1 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.094" (2.38mm) |
| Input Capacitance | 7000 pF @ 25 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 15 °C⁄W |
| Length | 0.264 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 C |
| Package Type | TO-252 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 136 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.85 °C/W |
| Rise Time | 13 |
| Series | SUD Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 94 nC |
| Turn Off Delay Time | 50 ns |
| Turn On Delay Time | 28 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60 V |
| Width | 0 in |