Siliconix / Vishay SUD50N06-08H-E3

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 0.0065Ohm,ID 93A,TO-252,PD 136W,VGS +/-20V

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Siliconix / Vishay SUD50N06-08H-E3 Specifications

Property	Value
Application	Automotive such as high-side switch, motor drives, 12 V batt
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38 mm
Drain Current	93 A
Drain to Source On Resistance	0.0065 Ohms
Drain to Source Voltage	60 V
Fall Time	10 nS
Forward Transconductance	25 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.094" (2.38mm)
Input Capacitance	7000 pF @ 25 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	15 °C⁄W
Length	0.264 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +175 C
Package Type	TO-252
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	136 W
Product Header	TrenchFET® Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.85 °C/W
Rise Time	13
Series	SUD Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	94 nC
Turn Off Delay Time	50 ns
Turn On Delay Time	28 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	94 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60 V
Width	0 in