Siliconix / Vishay TP0610K-T1-E3
MOSFET,P-Ch,VDSS -60V,RDS(ON) 10 Ohms,ID -185mA,TO-236 (SOT-23),PD 350mW,-55degcNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay TP0610K-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.02 mm |
| Drain Current | -115 mA |
| Drain to Source Voltage | -60 V |
| Forward Transconductance | 80 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.4 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-236 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 350 W |
| Product Header | P-Channel MOSFET |
| Series | TP Series |
| Total Gate Charge | 1.7 nC |
| Turn On Delay Time | 20 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.7 nC @ -15 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -60 V |