Siliconix / Vishay TP0610K-T1-E3

MOSFET,P-Ch,VDSS -60V,RDS(ON) 10 Ohms,ID -185mA,TO-236 (SOT-23),PD 350mW,-55degc

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Siliconix / Vishay TP0610K-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Single
Dimensions	3.04 x 1.4 x 1.02 mm
Drain Current	-115 mA
Drain to Source Voltage	-60 V
Forward Transconductance	80 S
Forward Voltage, Diode	-1.4 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Length	0.119 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-236
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	350 W
Product Header	P-Channel MOSFET
Series	TP Series
Total Gate Charge	1.7 nC
Turn On Delay Time	20 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	1.7 nC @ -15 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-60 V