General Semiconductor / Vishay MBRB10100-E3/8W

Diode,Schottky Barrier,Vr 100V,If 10A,Pkg TO-263AB,Vf 0.65V,Tj +150degc,Cs 150A

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General Semiconductor / Vishay MBRB10100-E3/8W Specifications

Property	Value
Configuration	Single
Continuous Forward Current	10 A
Dimensions	10.45 x 4.83 x 9.14 mm
Diode Type	Schottky
Forward Voltage	0.65 V
Height	0.36" (9.14mm)
Length	0.411 in
Maximum Junction Temperature	+150 °C
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Non Repetitive On State Peak Current	150 A
Number of Pins	2
Operating Temperature	-65 to +150 °C
Package Type	TO-263AB
Peak Current	6000 μA
Primary Type	Schottky Barrier
Product Header	High Voltage Schottky Rectifier
Repetitive Peak Voltage	100 V
Resistance, Thermal, Junction to Case	2 °C/W
Reverse Current	6 mA
Series	MBR Series
Surge Current	150 A
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Width	0 in